高分解能光電子分光によるトポロジカル絶縁体Bi₂Se₃と金属薄膜の界面電子状態の研究

抄録

トポロジカル絶縁体は、バルクは絶縁体でありながら表面では伝導状態をとるという特徴的な性質を持っている。さらにその強いスピン軌道相互作用により表面の電子は強くスピン偏極されており、スピントロニクスデバイスへの応用も期待されている。本研究はトポロジカル絶縁体であるBi_2Se_3の表面に金属を蒸着し、高分解能角度分解光電子分光を用いてその界面電子状態について実験的に明らかにすることを目的として行った。