レーザー角度分解光電子分光によるBi₂Se₃/Nbの超伝導電子状態の観測 2

抄録

トポロジカル絶縁体薄膜と超伝導体の接合系では、近接効果により表面電子状態にトポロジカル超伝導が実現すると期待され、非常に興味深い。これまでにBi_2_Se_3_/Nb接合系の光電子分光実験を行い、膜厚が5,10QLの試料の電子状態を観測、10QLで特異な超伝導状態となることを明らかにした。2次元系と3次元系の境となる膜厚5QL前後の変化が興味深い。発表では、膜厚5QL前後の試料を詳細に調べ、近接効果による表面超伝導状態の系統的な変化を報告する。