ベクトル電場波形整形パルス照射による二次元電子系試料の光起電力効果

抄録

光パルスのベクトル電場波形の位相スペクトルを制御することにより、THz周波数帯域で任意の偏向制御が可能な4f系ベクトル波形整形器が最近開発された。このベクトル電場波形整形パルスをAlGaAs/GaAsの二次元電子系ホールバー試料に照射する。その際に生じる光起電力を測定し、二次元電子系内の電子の輸送効果について報告する。