第一原理計算に基づくGeベースの希薄磁性半導体の研究

抄録

近年、Geに遷移金属をドーピングした希薄磁性半導体が注目を浴びている。本研究では、KKR-CPA法に基づき磁性特性を調べた結果、スピノーダル分解による不均一ナノ構造が高いキュリー温度に貢献していることがわかった。