半導体反転分布状態に対する位相緩和測定

抄録

半導体からの光短パルス放出をモデル化する際、高密度励起された半導体の位相緩和時間を知る必要があるが、その測定例は少なく、反転分布が作られている状況での値は明確ではない。そこで、高密度に励起され反転分布状態になっている半導体構造の位相緩和時間を四光波混合によって測定し、半導体からの光パルス発生における分極の影響について調べる。