櫛形npn接合を用いたグラフェンにおけるバリスティック伝導制御

抄録

高移動度櫛形グラフェンnpn接合を作製し、バリスティック伝導するキャリアの軌道を制御することで抵抗変調を実現した。具体的にはp型部とn型部のキャリア密度を変調することで、pn界面における電子波の屈折を制御し、コリメーションと全反射を組み合わせることで電子波の接合透過率を抑制した。グラフェン中の電子波を古典光学のように操る”Dirac fermion光学”を実験的に実現した結果と言える。