遷移金属二硫化物を用いたグラフェンへのスピン軌道相互作用の導入と評価

抄録

内因的なスピン軌道相互作用が弱いグラフェンにスピン軌道相互作用を導入することは、スピンホール効果を始めとするスピントロニクスへの応用や、量子スピンホール状態の実現など、昨今の物性物理分野において極めて重要な現象をグラフェンを用いて観測することを可能にする。本研究では、強いスピン軌道相互作用を持つ遷移金属二硫化物とグラフェンのヘテロ接合を作製することによりグラフェンに強いスピン軌道相互作用を導入し、その大きさを弱反局在効果を用いて評価する。また複数の種類、膜厚の遷移金属二硫化物を用いて、導入されるスピン軌道相互作用の大きさを比較する。遷移金属二硫化物とのヘテロ接合を作製した場合のグラフェンのスピン緩和機構についても述べる。