電荷秩序系有機導体θ-(BEDT-TTF)₂RbZn(SCN)₄の電荷ガラス形成能に対するエックス線照射効果

抄録

θ-(BEDT-TTF)_2_RbZn(SCN)_4_は、電子間に働くクーロン斥力により195Kで電荷秩序転移を示す。しかし急冷時には幾何学的フラストレーションの効果により電荷秩序化が抑制され、電荷ガラス状態が観測される。本研究では、θ-(BEDT-TTF)_2_RbZn(SCN)_4_へのエックス線照射分子欠陥の導入による電荷ガラス形成能の変化を調べることを目的として、電気抵抗率及び光学伝導度スペクトル測定を行った。その結果エックス線照射により電荷ガラス形成能の増加が観測された。