軟X線時間分解光電子分光法によるグラフェン/SiC界面の電荷移動ダイナミクスの研究

抄録

グラフェン/半導体界面のショットキー障壁における電荷移動ダイナミクスの理解は太陽電池等の光デバイスへの応用において重要である。そこで我々は軟 X 線時間分解光電子分光法により、SiC 基板上に成長させたグラフェンの表面起電力効果の緩和過程を観測することで、グラフェン/SiC 界面の電荷移動ダイナミクスの追跡を試みた。講演では実験により明らかとなった電荷移動のメカニズムについて議論する。