Si(111)√3×√3-B表面上に形成されるBi(110)超薄膜の電子状態(II)

抄録

Si(111)√3×√3-B表面上のBi(110)超薄膜では、偶数層膜厚が奇数層膜厚の島より多く現れる事を前回報告した。偶数層膜厚の安定性はbulk-A7構造とは異なる黒リン構造に依るものかを確かめるため、4～10MLの各膜厚でSTS測定を行い、DFT計算によるDOSとの比較を行った。加えて各膜厚の鏡像準位の測定を行った。これらの結果は全ての膜厚がA7構造をしていることを示唆していた。より詳細な結果は当日報告する。