【目的】正常confluent細胞では、Ｘ線照射し、24時間培養した場合の生存率は、照射直後に処理した場合の生存率より有意に高いことが知られている（潜在的致死損傷修復：PLDR）。我々のこれまでの研究ではヒト胎児肺由来正常線維芽細胞におけるPLDRのLETおよび加速核種依存性について明らかになって来たが、PLDRに関連した遺伝子突然変異の研究は非常に限られている。本研究ではヒト胎児肺由来正常線維芽細胞におけるHPRT遺伝子座突然変異のPLDR関連性に対するLETおよび加速核種依存性について検討した。【材料と方法】 細胞は理化研究所細胞銀行から供与されたヒト皮膚由来正常線維芽細胞を用い、X線、炭素イオン（エネルギー：290 MeV/uおよび135MeV/u、LET:13keV/µm～100keV/µm）、シリコンイオン（エネルギー：490 MeV/u、LET:55keV/µm～200keV/µm）,鉄イオン（エネルギー：500 MeV/u、LET:200keV/µm)に対して細胞生存率が20%となる線量で照射した。照射後37℃で24時間修復させた細胞(DP)と照射直後にsubcultureした細胞(IP)に対して、6－チオグアニン耐性コロニ-の出現数を調べてHPRT遺伝子の突然変異頻度を算出した。 【結果・考察】得られた結果は、X線、炭素、鉄イオンビームではIPの突然変異誘発頻度はDPと同じか、DPよりIPの方が高い事が判った。一方シリコンイオンビームでは３LETともDPの方が突然変異誘発頻度高かった。IPおよびDPにおける突然変異誘発頻度と生存率の割合を比べた結果、Ｘ線、炭素、鉄イオンビームではIPの突然変異誘発頻度はDPより1.4から4.1倍高い事が判ったが、シリコンイオンビームでは逆に0.35から0.65倍となった。また、同じイオンビームではLETの増加ともにHPRT 遺伝子座突然変異誘発頻度は高くなった。以上の結果から、PLDRに関連した遺伝子突然変異誘発頻度はイオンビームのLETと核種に依存し、同じLETで加速核種が異なるとPLDRに関連した遺伝子突然変異も異なる事が判った。
