抄録
本研究は培養細胞の二次元パターン形成技術の開発を目的とする。一般に接着依存性細胞は極めて親水性表面には接着しないが、極性あるいは疎水性表面では接着・増殖する。従って、親水性及び非親水性基を表面に導入して微細パターン化する表面修飾できれば、細胞は非親水性部のみに接着・増殖することになる。新しく開発した表面修飾技術は光反応によって微細パターン修飾を行なうことを原理としている。パターン形成は(1)まず、紫外線によって高反応性化学種に転化するフェニルァジド基を有する親水性高分子を合成し、(2)ついで、このポリマーを細胞培養床にコーティングして薄膜を形成させ、(3)フォトマスクを被せて、紫外線を照射して親水性高分子を露光部のみに化学固定した。内皮細胞はパターンの非露光部のみに接着・増殖し、二次完パターン培養が可能となった。本技術は二次元パターン培養の基本拉術とみなせる。
