セッションID: 19a-P11-17
会議情報
主催: The Japan Society of Applied Physics
会議名: 春季応用物理学関係連合講演会
回次: 57
開催地: 東海大学
開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20
Sub-1 nm EOT La-Al-O higher-k gate dielectrics with low leakage current using band gap engineering
*有村 拓晃, 安藤 崇志, Stephen Brown, Andrew Kellock, Alessandro Callegari, Matthew Copel, Richard Haight, 渡部 平司, Vijay Narayanan
著者情報
キーワード:
19a-P11-17,
high-k
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