酸素終端Si表面を用いたALD-HfO<sub>2</sub>/Si直接接合ゲートスタック形成

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 19a-P11-18

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_2808

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

酸素終端Si表面を用いたALD-HfO₂/Si直接接合ゲートスタック形成

*森田行則, 右田真司, 田岡紀之, 水林亘, 太田裕之

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キーワード: 19a-P11-18, 半導体A（シリコン）, 絶縁膜技術, ALD, HfO2, high-k

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