Electrical Properties of Hf/HfSiON/p-Si(100) Structure MIS Capacitor by Using ECR-Sputtering

セッションID: 19a-P11-23

会議情報

主催: The Japan Society of Applied Physics

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

Electrical Properties of Hf/HfSiON/p-Si(100) Structure MIS Capacitor by Using ECR-Sputtering

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キーワード: 19a-P11-23, HfON

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