バックエンドプロセス向けCu拡散バリア用SiCH膜におけるプリカーサー中のイソブチル基の効果

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 20a-D-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_2870

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

バックエンドプロセス向けCu拡散バリア用SiCH膜におけるプリカーサー中のイソブチル基の効果

*清水秀治, 永野修次, 大橋芳, 迫田薫, 羽坂智, 加田武史, 田島暢夫, 霜垣幸浩

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キーワード: 20a-D-1, 半導体A（シリコン）, 配線技術, キャップ層, 拡散バリア絶縁膜, 低誘電率絶縁膜

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