中性粒子ビームCVDによる超低誘電率SiOC膜の形成と構造制御（3）＝積層構造による効果の検討(2)＝

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 20a-D-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_2871

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

中性粒子ビームCVDによる超低誘電率SiOC膜の形成と構造制御（3）＝積層構造による効果の検討(2)＝

*佐々木亨, 安原重雄, 田島邦敏, 矢野尚, 門村新吾, 島山努, 松永範昭, 吉丸正樹, 寒川誠二

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キーワード: 20a-D-2, 半導体A（シリコン）, 配線技術, CVD, Low-k膜, 中性粒子ビーム

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