絶縁膜上におけるSi単結晶粒の方位制御とSiGeミキシング誘起横方向Geエピタキシャル成長

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 18a-D-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_2913

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

絶縁膜上におけるSi単結晶粒の方位制御とSiGeミキシング誘起横方向Geエピタキシャル成長

*黒澤昌志, 川畑直之, 都甲薫, 佐道泰造, 宮尾正信

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キーワード: 18a-D-8, 半導体A（シリコン）, Siプロセス技術, Ge, Orientation Control, Si

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