応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第57回春季応用物理学関係連合講演会
セッションID: 18p-D-2
会議情報

主催: 社団法人 応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

Siへのクラスターイオン注入II - クラスターC　co-implantによるPの拡散抑制 -
*鉄田 博, 濱本 成顕, 永山 勉, 丹上 正安, 海勢頭 勢, 前原 憲明, 河村 泰典, 中島 良樹, 橋野 義和, 橋本 昌大, 吉見 英樹, 瀬崎 伸一
著者情報
キーワード: 18p-D-2, 半導体A（シリコン）, Siプロセス技術, カーボン, クラスター, 半導体
会議録・要旨集 フリー

詳細
PDFをダウンロード (201K)
メタデータをダウンロード RIS形式

(EndNote、Reference Manager、ProCite、RefWorksとの互換性あり)

BIB TEX形式

(BibDesk、LaTeXとの互換性あり)

テキスト
メタデータのダウンロード方法
発行機関連絡先
記事の1ページ目
著者関連情報
© 2010 公益社団法人 応用物理学会
前の記事 次の記事
お気に入り & アラート

閲覧履歴
このページを共有する
feedback
 Top