歪みによる(110)面極薄SOI MOSFET正孔移動度向上の物理的起源

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 18a-B-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_2965

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

歪みによる(110)面極薄SOI MOSFET正孔移動度向上の物理的起源

*清水健, 更屋拓哉, 平本俊郎

著者情報

キーワード: 18a-B-5, 半導体A（シリコン）, Siデバイス／集積化技術, SOI, シリコン, 歪み

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2010 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top