AlGaN/GaN HEMTの電流コラプスに対する炭素ドーピングの影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 19p-TS-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_3116

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

AlGaN/GaN HEMTの電流コラプスに対する炭素ドーピングの影響

國塩直樹, *塩島謙次, 山田悠二郎, 柴田龍成, 秋山一樹, 徳田豊

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キーワード: 19p-TS-6, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, プロセス技術・界面制御, GaN, 電流コラプス

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