MgドープGaNの表面特性と深い準位の評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 19p-TS-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_3117

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

MgドープGaNの表面特性と深い準位の評価

*小川恵理, 橋詰保

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キーワード: 19p-TS-7, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, プロセス技術・界面制御, MgドープGaN, 深い準位

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