ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/GaN構造の形成プロセスと界面評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 19p-TS-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_3118

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

ALD-Al₂O₃/GaN構造の形成プロセスと界面評価

*堀祐臣, 水江千帆子, 橋詰保

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キーワード: 19p-TS-8, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, プロセス技術・界面制御, Al2O3, GaN, 界面

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