Siキャップ層による歪みGeチャネルの歪み安定性向上

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 19a-TK-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_3126

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

Siキャップ層による歪みGeチャネルの歪み安定性向上

*那須賢太郎, 澤野憲太郎, 星裕介, 榑林徹, ミロノフマクシム, 白木靖寛

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キーワード: 19a-TK-6, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 超高速・機能デバイス, Siキャップ, 半導体, 歪みGeチャネル

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