ナノゲートIn<sub>0.7</sub>Ga<sub>0.3</sub>As/InAs/In<sub>0.7</sub>Ga<sub>0.3</sub>AsコンポジットチャネルHEMT中の電子輸送に関するモンテカルロ計算

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 19a-TK-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_3127

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

ナノゲートIn_0.7Ga_0.3As/InAs/In_0.7Ga_0.3AsコンポジットチャネルHEMT中の電子輸送に関するモンテカルロ計算

*遠藤聡, 渡邊一世, 広瀬信光, 三村高志, 松井敏明

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キーワード: 19a-TK-7, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 超高速・機能デバイス, HEMT, Monte Carlo simulation

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