SiO<sub>2</sub>細線埋め込みInP/InGaAs DHBTの作製

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 19a-TK-10

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_3130

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

SiO₂細線埋め込みInP/InGaAs DHBTの作製

*小林嵩, 鈴木裕之, 武部直明, 宮本恭幸, 古屋一仁

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キーワード: 19a-TK-10, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 超高速・機能デバイス, DHBT

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