MOCVD法による高品質GaNナノワイヤの選択成長

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 18a-TC-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_3461

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

MOCVD法による高品質GaNナノワイヤの選択成長

*ギヒョンチェ, 有田宗貴, 荒川泰彦

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キーワード: 18a-TC-1, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, GaNナノワイヤ, 選択成長

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