GaNナノワイヤの無触媒MOCVD成長における過飽和度の重要性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 18a-TC-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_3462

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

GaNナノワイヤの無触媒MOCVD成長における過飽和度の重要性

*有田宗貴, ギヒョンチェ, 荒川泰彦

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キーワード: 18a-TC-2, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, catalyst-free MOCVD, GaN nanowires

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