ECRプラズマ窒化によるHfO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>の作成と評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第71回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 15a-ZA-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_2492

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 71

開催地: 長崎大学

開催日: 2010/09/14 - 2010/09/17

ECRプラズマ窒化によるHfO_xN_yの作成と評価

*森近真也, 鬼木悠丞, 岩崎好孝, 上野智雄

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キーワード: 15a-ZA-2, 半導体A（シリコン）, 絶縁膜技術, HfO_xN_y, Si

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