マルチスケールシミュレーションによるゲート酸化膜の絶縁信頼性予測

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第71回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 16a-S-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_2525

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 71

開催地: 長崎大学

開催日: 2010/09/14 - 2010/09/17

マルチスケールシミュレーションによるゲート酸化膜の絶縁信頼性予測

*坪井秀行, 南雲亮, 三浦隆治, 鈴木愛, 遠藤明, 畠山望, 高羽洋充, 久保百司, 宮本明

著者情報

キーワード: 16a-S-1, 半導体A（シリコン）, 絶縁膜技術, シミュレーション, 絶縁膜, 量子化学

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2010 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top