電子線照射により改質されたGaAs酸化膜マスクの熱的安定性の検証　MBE成長法を用いたSi基板上AlAs選択成長

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第71回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 16p-ZV-14

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_3145

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 71

開催地: 長崎大学

開催日: 2010/09/14 - 2010/09/17

電子線照射により改質されたGaAs酸化膜マスクの熱的安定性の検証　MBE成長法を用いたSi基板上AlAs選択成長

*後藤大輝, 山本悠馬, 廣川優樹, 牛尾昌史, 松田一宏, 金子忠昭

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キーワード: 16p-ZV-14, 結晶工学, III-V族エピタキシャル結晶, AlAs, hetero, SAG

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