微傾斜SiC表面上に形成するエピタキシャルグラフェンの異方性成長モード-オフ方向依存性-

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第71回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 16a-ZM-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_3472

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 71

開催地: 長崎大学

開催日: 2010/09/14 - 2010/09/17

微傾斜SiC表面上に形成するエピタキシャルグラフェンの異方性成長モード-オフ方向依存性-

*森田康平, 上原直也, 萩原好人, 日比野浩樹, 田中悟

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キーワード: 16a-ZM-7, ナノカーボン, 成長技術, SiC, グラフェン, 原子間力顕微鏡

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