Ge-MOSキャパシタに於けるTiNメタルゲート形成後の熱処理効果

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 27a-KW-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_2986

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

Ge-MOSキャパシタに於けるTiNメタルゲート形成後の熱処理効果

*岩村義明, 坂本敬太, 平山佳奈, 山本圭介, 楊海貴, 王冬, 中島寛

著者情報

キーワード: 27a-KW-3, 半導体A（シリコン）, 絶縁膜技術, Ge MOS capacitor, high-k

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2011 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top