角度分解X線光電子分光法によるHfO<sub>2</sub>/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 III

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 27a-KW-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_2987

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

角度分解X線光電子分光法によるHfO₂/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 III

*小松新, 那須賢太郎, 星裕介, 榑林徹, 澤野憲太郎, マクシムミロノフ, 野平博司, 白木靖寛

著者情報

キーワード: 27a-KW-4, 半導体A（シリコン）, 絶縁膜技術, Si-cap, XPS, 歪みGe

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2011 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

4p-F-4 ^<20>Neのoctupole変形

Top