Siへのクラスターイオン注入IV - クラスターC注入により形成したa-Si層の評価 -

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 25a-P3-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_3050

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

Siへのクラスターイオン注入IV - クラスターC注入により形成したa-Si層の評価 -

*鉄田博, 濱本成顕, 永山勉, 海勢頭聖, 古賀雄二, 河村泰典, 中島良樹, 田中浩平, 橋本昌大, 川上喬子

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キーワード: 25a-P3-1, 半導体A（シリコン）, Siプロセス技術, アモルファスシリコン, イオン注入, クラスターカーボン

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