Bイオン注入した熱処理無しのGeにおけるホール層生成：Ge中B<sub>12</sub>クラスター形成の可能性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 25a-P3-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_3052

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

Bイオン注入した熱処理無しのGeにおけるホール層生成：Ge中B₁₂クラスター形成の可能性

*小池正浩, 上牟田雄一

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キーワード: 25a-P3-3, 半導体A（シリコン）, Siプロセス技術, 半導体

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