容量およびコンダクタンス測定によるSiO<sub>2</sub>/p-GaN接合の界面評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 24p-KS-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_3286

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

容量およびコンダクタンス測定によるSiO₂/p-GaN接合の界面評価

*岩田康宏, Freedsman Joseph, 久保俊晴, 江川孝志

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キーワード: 24p-KS-6, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, プロセス技術・界面制御, 界面準位

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