オン状態ストレス印加したAlGaN/GaNへテロ接合電界効果トランジスタの非局在化トラッピング効果

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 24p-KS-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_3287

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

オン状態ストレス印加したAlGaN/GaNへテロ接合電界効果トランジスタの非局在化トラッピング効果

*胡成余, 橋詰保, 大井幸多, 田島正文

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キーワード: 24p-KS-7, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, プロセス技術・界面制御, AlGaN, HFET, Trapping

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