GaN及びSiCショットキバリアダイオードの理論解析

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 26a-P6-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_3300

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

GaN及びSiCショットキバリアダイオードの理論解析

*南智也, 井手利英, 長南紘志, 清水三聡, 三浦登

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キーワード: 26a-P6-8, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 超高速・機能デバイス, GaN, ショットキバリアダイオード, ダイオード容量

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