(NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>S処理によるAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub> AlGaN/GaN MOS FET特性の改善

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 27a-P9-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_3314

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

(NH₄)₂S処理によるAl₂O₃ AlGaN/GaN MOS FET特性の改善

*宮崎英志, 岸本茂, 水谷孝

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キーワード: 27a-P9-4, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 超高速・機能デバイス, Al2O3 AlGaN GaN MOSFET

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