MOCVD法による4inch Si基板上への高耐圧InAlN/GaN HEMTエピ構造の作製

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 27a-P9-17

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_3327

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

MOCVD法による4inch Si基板上への高耐圧InAlN/GaN HEMTエピ構造の作製

*市村幹也, 前原宗太, 杉山智彦, 角谷茂明, 倉岡義孝, 三好実人, 田中光浩, 江川孝志

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キーワード: 27a-P9-17, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 超高速・機能デバイス, HEMT, InAlN, Si substrate

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