化合物原料を用いたMBE 法によるGaN 薄膜の作製と希土類添加の検討(2)

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 26p-BW-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_3395

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

化合物原料を用いたMBE 法によるGaN 薄膜の作製と希土類添加の検討(2)

*弓達新治, 木村優介, 井上貴満, 中平康一, 宮田晃, 白方祥

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キーワード: 26p-BW-3, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 光物性・発光デバイス, CS-MBE, GaN, rare earth

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