Eu添加GaNにおけるMg共添加によるEu発光強度の増大

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 26p-BW-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_3396

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

Eu添加GaNにおけるMg共添加によるEu発光強度の増大

*李東建, 西川敦, 古川直樹, 川ばた昴佑, 寺井慶和, 藤原康文

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キーワード: 26p-BW-4, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 光物性・発光デバイス, Eu, GaN, 希土類添加半導体

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