紫外線照射による4H-SiC MOSデバイスの電気特性劣化

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 25p-BL-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_3786

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

紫外線照射による4H-SiC MOSデバイスの電気特性劣化

*池口大輔, 桐野嵩史, 箕谷周平, 中野佑紀, 中村孝, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

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キーワード: 25p-BL-4, 結晶工学, IV族系化合物, MOS, SiC, 紫外線

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