GaInNチャネルHFETのAlInNバリア層の検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第72回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 1p-H-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.2.0_2595

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 72

開催地: 山形大学

開催日: 2011/08/29 - 2011/09/02

GaInNチャネルHFETのAlInNバリア層の検討

*池田和弥, 磯部康裕, 一木宏充, 堀尾尚史, 榊原辰幸, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤崎勇, 天野浩

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キーワード: 1p-H-8, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 超高速・機能デバイス, AlInN, FET, GaInN

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