熱酸化SiO<sub>2</sub>/SiC構造における紫外線誘起欠陥の評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第72回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 30a-ZB-15

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.2.0_3017

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 72

開催地: 山形大学

開催日: 2011/08/29 - 2011/09/02

熱酸化SiO₂/SiC構造における紫外線誘起欠陥の評価

*池口大輔, 桐野嵩史, 箕谷周平, 中野佑紀, 中村孝, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

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キーワード: 30a-ZB-15, 結晶工学, IV族系化合物, MOS, SiC, 紫外線

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