n型ダイヤモンド半導体の選択成長を適用した横型p-nダイオード

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第59回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 18p-F3-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_1348

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 59

開催地: 早稲田大学

開催日: 2012/03/15 - 2012/03/18

n型ダイヤモンド半導体の選択成長を適用した横型p-nダイオード

*都築康平, 加藤宙光, 牧野俊晴, 小倉政彦, 星野雄斗, 岩崎孝之, 山崎聡, 波多野睦子

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キーワード: 18p-F3-7, 薄膜・表面, カーボン系薄膜, ダイヤモンド半導体

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© 2012 公益社団法人応用物理学会

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