ALD 法により堆積したAl2O3 薄膜をコントロール酸化膜に用いた低温poly-Si TFT フラッシュメモリの特性評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第59回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 17p-A6-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_3010

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 59

開催地: 早稲田大学

開催日: 2012/03/15 - 2012/03/18

ALD 法により堆積したAl2O3 薄膜をコントロール酸化膜に用いた低温poly-Si TFT フラッシュメモリの特性評価

*市川和典, 松江将博, 赤松浩, 山崎浩司, 川村悠実, 堀田昌宏, 浦岡行治

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キーワード: 17p-A6-6, 半導体A（シリコン）, Siプロセス技術, フラッシュメモリ, 低温多結晶Si　TFT

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