数値制御大気圧プラズマ犠牲酸化法によるSOIウエハSi層膜厚均一化 -多電極型プラズマ発生装置の試作と評価-

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第59回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 17p-A6-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_3011

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 59

開催地: 早稲田大学

開催日: 2012/03/15 - 2012/03/18

数値制御大気圧プラズマ犠牲酸化法によるSOIウエハSi層膜厚均一化 -多電極型プラズマ発生装置の試作と評価-

*武居弘泰, 吉永圭之介, 佐野泰久, 松山智至, 山内和人

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キーワード: 17p-A6-7, 半導体A（シリコン）, Siプロセス技術, SOI, 大気圧プラズマ

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