高Ge濃度歪みSiGeチャネルTri-gate Metal S/D MOSFETにおけるソース端キャリア速度増大の実証

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第59回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 16a-A1-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_3033

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 59

開催地: 早稲田大学

開催日: 2012/03/15 - 2012/03/18

高Ge濃度歪みSiGeチャネルTri-gate Metal S/D MOSFETにおけるソース端キャリア速度増大の実証

*池田圭司, 小田穣, 入沢寿史, 上牟田雄一, 守山佳彦, 手塚勉

著者情報

キーワード: 16a-A1-4, 半導体A（シリコン）, Siデバイス／集積化技術, Ge, MOSFET, Si

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2012 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top